• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:

    公开号:WO1986004929A1
    申请号:PCT/JP1986/000087
    申请日:1986-02-21
    公开日:1986-08-28
    发明作者:Yukio; Inokuchi；Yoh; Ito；Toshihiko; Funahashi
    申请人:Kawasaki Steel Corporation；
    IPC主号:H01F1-00
    专利说明:
    [0001] 明. 細 書 超低鉄損一方向性けい素鋼板の製造方法
    [0002] ( 技 術 分 野 ）
    [0003] 一方向性けぃ素鐧板の電気 · 磁気的特性の改善、 なかで も、 鉄損の低減に係わる極限的な要請を満たそうとする近 年来の目覚ましい開発努力は、 逐次その実を挙げつつある が、 その実施に伴う重大な弊害として、 一方向性けぃ素鑭 板の使用に当たっての加工、 組立てを経たのち、 いわゆる 歪取り焼鈍が施された場合に特性劣化を不可避に生じるた め、..使途については制限を受ける不利がある。 そこで、 こ. の 明は歪取り焼鈍のような高温の熱履歴を経ると否とに 拘わらず、 上記要請を有利に充足し得る新たな方途を拓き. さらにはとく に、 一方向性けい素鋼板における磁歪の圧縮 応力特性ならびに占積率の改善をも有利に達成できる、 一 方向性けぃ素鑭板の製造方法に闋連している。
    [0004] ( 背 景 技 術 ）
    [0005] 一方向性けい素鐧板はよく知られているとおり、 製品の
    [0006] 2次再結晶粒を（110) 〔001〕 すなわちゴス方位に高度に集 積させたもので、 主として変圧器その他の電気機器の鉄心 として使用され、 電気 · 磁気的特性として製品の磁束密度 (B 1 0値で代表される） が高く、 鉄損（Us。 値で代表され る） の低いことに加えて、 とく に磁歪特性、 占積率が優れ ていることも要求される。
    [0007] この一方向性けい素鑭板は複雑多岐にわたる工程を経て 製造されるが、 これまでにおびただしい発明改善が加えら れた結果、 板厚 0. 30删の製品の磁気特性では B ,。 値 ： 1. 9 0T以上、 W 1 7/s。値 ： 1. 05W / kg以下、 また板厚 0. 23謹の製 品の磁気特性は B t。 値 ： 1. 89T以上、 W l 7 / 5 0値 ： 0. 90W / kg以下のような、 低鉄損一方向性けい素鋼板が製造される ようになつて来ている。
    [0008] と く に近年、 省エネの見地から電力損失の低減を至上と する要請が著しく強まり、 欧米では損失の少ない変圧器を 作る場合に鉄損の減少分を金額に換算して変圧器価格に上 積みする 「o ス · エバリ ュエー シ ョ ン」 （鉄損評価） 制度 が普及している。
    [0009] このような状況において最近、 一方向性けぃ素鑭板の仕. 上焼鈍後の鋼板表面に圧延方向^ほぼ直角方向でのレ *一ザ 一照射により局部微少歪を導入して磁区を細分化し、 もつ て鉄損を低下させることが提案された （特公昭 57 - 2252 号， 特公昭 57- 53419号、 特公昭 58- 5968 号、 特公昭 58- 26405号、 特公昭 58-26406号、 特公昭 58- 26407号および特公昭 58- 360 51号公報参照） 。
    [0010] この磁区細分化技術は歪取り焼鈍を施さない、 積鉄心向 けト ラ ンス材料として劲果的であるが、 歪取り焼鈍が不可 欠な主として巻鉄心ト ラ ンス材料などにあっては、 レーザ 一照射によつて折角導入された局部微少歪が焼鈍処理によ り開放されて磁区幅が広く なるため、 レーザー照射効果が 失われるという欠点がある。
    [0011] —方これより先に特公昭 52- 24499号公報においては、 一 方向性けい素鋼板の仕上げ焼鈍後の鑭板表面を鏡面仕上げ するか又はその鏡面仕上げ面上に金属薄めつきや、 さらに その上に絶縁被膜を塗布焼付けすることによる、 超低鉄損 一方向性けい素鋼板の製造方法が提案されている。
    [0012] しかしながらこの鏡面仕上げによる鉄損向上手法は、 ェ 程的に採用するには著しいコス ト アップとなる割りに、 鉄 損低減への寄与が十分でない上、 と く に鏡面仕上後に不可 欠な絶縁性塗布焼付層を形成した後の密着性に問題がある ため、 現在の製造工程において採用されるに至っていない c また特公昭 56- 4150 号公報においても鋼板表面を鏡面仕 上げした後、 酸化物セラ ミ ッ クス薄膜を蒸着する方法が提 案されている しかしながらこの方法も 600 °c以上の高温 焼鈍を施すと鋼板とセラ ミ ッ クス層とがはく離するため、 実際の製造工程では採用できない。
    [0013] 上記のような超低鉄損化対策に伴われる問題のほか、 一 方向性けい素鋼板には磁歪の問題も看過できず、 これは鐧 板'を磁化した際に鋼板が伸縮振動する現象で、 変圧器騒音 の最も大きな原因となり、 この磁歪挙動は鋼板の磁化過程 が 90 。 磁壁移動および回転磁化を含むことに起因し、 鋼板 にかかる圧縮応力に応じて磁歪を増大する。 変圧器の組立 時には不可避的に鋼板に圧縮応力が加わるが、 このような 圧縮応力を見越してあらかじめ、 鋼板に張力を与えておけ ば磁歪の圧縮応力特性の面で有利であるのみならず勿論綱 板に張力が与えられることは一方向性けい素鋼板の鉄損の 改善にも有効でその効果が顕著である。
    [0014] ここで一方向性けい素鋼板は通常 2次再結晶前の脱炭 · 1次再結晶焼鈍時に鑭板表面に形成されるフアイャライ ト (Fe 2S i 04)と呼ばれる主として S iおよび Peの酸化物は、 MgO を主体とする焼鈍分離剤との仕上げ焼鈍の際における高温 反応によって生成されたフオルステライ ト質下地被膜とさ らにその上に絶緑性塗布焼付層 （例えばりん酸塩とコロイ ダルシ リ力を主成分とする） との 2重の被覆によつて張力 が加えられ、 磁歪特性の改善が行われてはいるがこのよう な在来手法による磁歪の圧縮応力特性の改善は必ずしも充 分とはいえない。
    [0015] 磁歪特性を改善するため熱膨張係数の小さいガラス質の 絶縁被膜の高温焼付処理を施すことによつて鐧板表面に彈 性張力をかけることのできる絶縁被膜の開発 （例えば特公 昭 56- ..521117 号、 特公昭 53- 28375号各公報参照） も行われ たが、 なお依然として実効に乏しい。
    [0016] さらに、 一方向性けい素鋼板の占積率は、 最終仕上焼鈍 中に鋼板表面上に形成されるフオ ルステライ ト下地被膜と さらにその上の絶縁性塗布焼付層を除いた、 有効に磁気特 性に寄与する量 （％で表示） で現わすが、 この占積率を向 上させることも重要であるとされ、 この占積率を向上させ るには従来から鋼板の表面粗さを小さ く し、 フオ ルステラ- イ ト下地被膜や絶縁性塗布焼付層を薄くする方が良いとさ れている。 しかしながらこれらの被覆を薄くすると占積率 は向上するが、 実際には表面外観が良好で、 かつ密着性、 均一性の優れた薄型被膜を現実の製造工程にお て安定に 形成させることは非常に困難であり、 占積率を向上させる のにも限度があつた。 (発明の開示）
    [0017] 超低鉄損化を目指す磁気特性の向上の実効をより有利に 引き出すと共に、 磁歪の圧縮応力特性と占積率の一層有利 な改善を実現し、 さ らに高温処理でも特性劣化を伴う こと なく絶縁層の密着性、 耐久性の問題を克服し得る極薄張力 被膜の形成に関連した、 一方向性けい素鋼板の製造方法を 提案することがこの発明の目的であり、 次に述べる窒化物 及び/又は炭化物の薄被膜が、 一方向性けい素鋼板の仕上 げ表面上における強固な密着の下での被覆によって熱安定 性のある超低鉄損化、 さらに磁歪の圧縮応力特性、 占積率 の向上をあわせ達成し得ることの新規知見に由来している ; すなわちこの発明は、 含けい素鐧スラブを熱間圧延して 得られる熱延板に 1回又は中間焼鈍を挟む 2回の冷間圧延 を施して最終板厚の冷延板とした後、 脱炭を兼ねた 1次再 結晶焼鈍を施してから、 鑭板表面上に焼鈍分離剤を塗布し. 引続き仕上焼鈍を施して { 110 } <001> 方位の 2次再結晶 粒を発達させる 2次再結晶焼鈍及び純化焼鈍を施し、 その 後鋼板表面上の酸化物層を除去した上で、 T i , Z r, H f , V, N b， T a, M n, C r, Mo, W, Co , N i， A l , B 及び S iの窒化物 及び/又は炭化物のうちから選んだ少なく とも 1種から主 として成り、 それらの地鉄との混合層を介し綱板表面上へ 強固に被着した少なく とも 1層の被膜を形成させることを 特徵とする、 超低鉄損一方向性けい素鋼板の製造方法であ o
    [0018] この方法に従い、 従来技術による最良の磁気特性をはる かに凌駕する著しい超低鉄損化が十分な熱安定性の下に成 就されるのみならず、 磁歪の圧縮応力特性、 占積率の向上 にも有効に寄与することができるのである。
    [0019] (図面の簡単な説明）
    [0020] 第 1図はイ オンプレーティ ング装置のスケル ト ン図、 第 2図は窒化物及び炭化物から主としてなる被膜の形成 挙動の模式図であり、
    [0021] 第 3図、 第 4図は磁歪の圧縮応力特性比較図、 そして 第 5図、 第 6図は張力付与による効果比較図表である。 第 1図に示したイオンプレーティ ング装置によつてこの発 明の成功が由来された実験経緯から、 より詳細に説明を進 める。
    [0022] 実 験 1
    [0023] C 0. 046 重量％ (以下単に％で示す） 、 S i 3. 34 % 、 0. 068 %、 Se 0. 023 %、 Sb 0. 025% 及び Mo Q. 025 %を含有 するけい素鋼連錄スラブを、 1360 °Cで 4時間加熱後熱間圧 延して 2. 0 mra厚の熱延板とした。
    [0024] その後 900 °Cで 3分間の均一化焼鈍後、 950 °Cで 3分間 の中間 鈍をはさむ 2回の冷間圧延を施して 0. 23mmの最終 板厚とした冷延板を得た。
    [0025] その後 820 Cの湿水素雰囲気中で脱炭を兼ねた 1次再結 晶焼鈍を施した後、 鋼板表面に MgG を主成分とする焼鈍分 離剤を塗布し、 ついで 850 °Cで 50時間の 2次再結晶焼鈍と、 1200 °Cで乾水素中 5時間の純化焼鈍とを施した。
    [0026] かく して得られた試料はその一部を残し 80 °Cの H 2S04 液 中で酸洗して鋼板表面のフ ォルステラィ ト質下地被膜を除 去し次に 3 % HPと H 202の溶液中で化学研磨し鋼板表面を中 心線平均粗さ 0.1 の鏡面状態に仕上げた試料を三つに 分けそのうち二つについてはその後第 1図のイ オ ンプレー ティ ング装置を使用して研磨表面にそれぞれ膜厚 0. '5 Mm で TiN と A 1203 とのイオンプレーティ ングを行った。
    [0027] なお第 1図において 1 は鏡面研磨を施した供試用の基板. 2はシャ ツタ、 3はるつぼ、 4は電子銃、 5は電子ビーム. 6はイオン化電極、 7は熱電子放射電極、 8は N2, C2H2あ るいは 02などの反応ガス導入口である。
    [0028] 上記のィオンプレーティ ングについでりん酸塩とコロイ ダルシリ カとを主成分とするコ ーティ ング液でコ一ティ ン グ処理 （絶緣性塗布焼付層の形成） を行った。
    [0029] . これに対する比較のため上掲の三分した試料の一つにつ き従来の公知技術に従い 0.5 Mtn の銅めつき処理を、 研磨 表面に施した後、 やはり りん酸塩とコロイ ダルシリカとを 主成分とするコ ーティ ング液でコ 一ティ ング処理を施した < このときの製品の磁気特性及び密着性の実験結果をまと めて表 1 に示す。
    [0030] 表 1
    [0031] 00
    [0032] % 180 。曲げではく離しない曲げ直径
    [0033] ** 密着性が良好 〇
    [0034] 密着性が不良 X
    [0035] 表 1から明らかなように、 現在工程的に製造されている、 仕上げ焼鈍中に鑭板表面上に形成されるフ オ ルステライ ト 質下地被膜の上に、 コーティ ング処理を加えた通常処理製 品 (a)の磁気特性は Bi。 値 ： 1.905 T, Wl 7/5。 値 ： 0.87 W/ kg程度であつて絶緑性塗布焼付層の密着性は一応良好であ る。 これに対して仕上焼鈍後のフ ォ ルステラィ ト質下地膜 を酸洗で除去し、 ついで表面を化学研磨して鏡面仕上し、 この研磨処理表面に銅めつきを経て、 コーティ ング処理し た製品 (b)の磁気特性は B1 Q 値 ： 1.913 T、 W17/5。値 ： 0.73 / kg程度にやや改善される反面、 銅めつきを介した絶縁性 塗布焼付層の密着性は十分でない。
    [0036] —方、 '仕上焼鈍後にやはりフ ォ ルステラィ ト質下地被膜 を除去し、 表面を化学研磨して鏡面仕上げした上でと く に イ オ ンプレーテ ィ ング処理を経て同様なコ一ティ ング処理 をし A 1203 の薄膜を形成させた製品 (c)の磁気特性は B,。 値 ： 1.915 T. 値 ： 0.72 W/kgに改善され、 しかも絶 縁性塗布焼付層の密着性は (b)の条件よりはやや良好である ものの、 なお密着性が不十分である。
    [0037] これに対してこの発明に従う製品 (d)のように、 TiN 被膜 を形成させた場合の磁気特性は B,。 値 ： 1.902 T, W. 7/5 0 値 ： 0.68 W/kgと極端に良好でかつ、 絶縁性塗布焼付層の 密着性が良好に維持されることが注目される。
    [0038] このような磁気特性と密着性の向上がもたらされる理由 は、 第 2図の模式図で示すように、 基板 1 としてけい素鋼 板表面上に加速ィォン i と蒸着原子 aとの混合層 8が TiN 被膜 10との間に形成されるからであり、 とく に密着性が格 段に強められる結果、 強い弾性張力がけい素鐧板の面上に 働いて従来比類のない超低鉄損が実現される。 ここに塑性 的な微少歪の働きを利用するけではないので、 熱安定'性に 何らの問題なく、 それ故歪取り焼鈍の如き高温の熱履歴に 拘わらず、 電気 · 磁気的特性に全く影響を受けない。
    [0039] ここで超低鉄損の製品を得るための最適仕上げ表面の中 心線平均粗さは Ra≤ 0. の鏡面状態である。 Ra〉 0.4 M m となると低損低減の程度は減少する傾向はあるが、 そ れでもなおかつ本発明の方法による鉄損低減効果は従来公 知の方法にく らベてもなお十分優れているものである。 例 えば後述するように仕上げ表面が酸洗等の化学的方法ある いは切削 ·研削等の機械的方法により酸化物を除去した程 度の表面粗さであつても本発明の方法によれば相応の効果 が期待できる。
    [0040] また TiN 被膜の膜厚は、 0.005 〜 5 、 より好ま しく は 0.05〜1.5 M a の範囲で適合する。
    [0041] この TiN 被膜 10の混合層 9を介した、 好ま しく は鏡面仕 上げした鋼板表面上における強固な被着は P V D ( Physical
    [0042] Vapor Depos it ion) ¾ある（/、（ま C V D ( Chemical Vapor Deposition) 法の何れによっても有利にもたらされる。 こ のほか、 金属の蒸着後鋼板表面での雰囲気反応によつて TiN 被膜を形成するような方法も利用できる。
    [0043] 実 験 2
    [0044] 次に磁歪の圧縮応力特性にも関連した実験結果は次のと おりである。
    [0045] C ： 0.045 %, Si ： 3.38 %, Mn ： 0.063 %, Se: 0.021 %, Sb ： 0.025 % 及び Mo ： 0.025 %を含有するけい素鐧連 鏵スラブを、 1340°Cで 4時間加熱後熱間圧延して 2. Q 咖厚 の熱延板と した。
    [0046] その後 900 °Cで 3分間均一化焼鈍後、 950 °Cで 3分間の 中間焼鈍をはさむ 2回の冷間圧延を施して 0.23剛厚の最終 板厚と した冷延板を得た。
    [0047] その後 820 C湿水素中で脱炭を兼ねた 1次再結晶焼鈍を 施した後、 鋼板表面に Al 203 (70%)と Mg0(30%)を主成分とす る焼鈍分離剤を塗布し、 ついで 850 °Cで 50時間の 2次再結 晶焼鈍と 120(TCで乾水素中で 5時間の純化焼鈍を施した。
    [0048] その後はまず 70°Cの HC1 液中で酸洗して鋼板表面に生成 している酸ィヒ物層を除去した後、 3 %HFと H 202の溶液中で 化学研磨し、'鋼板表面を中心線粗さ 0.05 ΠΙ の鏡面状態に 仕上げた。
    [0049] その後 C V D装置を用いて TiCl4 と H2と N2の混合ガス雰 囲気中で 750 °Cで 20時間の、 鐧板表面上での C V D反応に より 0.7 m 厚の TiN 被膜を形成させた。
    [0050] この後鐧板表面上にりん酸塩とコロイ ダルシ リ 力を主成 分とする絶縁性塗布焼付層を形成させた後、 800 °Cで 2時 間の歪取り焼鈍を行って製品とした。
    [0051] この製品の磁歪の圧縮応力特性ならびに磁気特性を第 3 図にて、 通常工程材 （比較材） と比較して示す。
    [0052] なおこのとき比較材は、 上記の 0.23ram厚の冷延板の一部 に、 820 °Cの湿水素中で脱炭を兼ねた 1次再結晶焼鈍を施 した後、 鐧板表面でと く に MgQ を主成分とする焼鈍分離剤 を塗布したほかは、 その後 850 °Cで 50時間の 2次再結晶焼 鈍と 200°Cでの乾燥水素中での 5時間の純化焼鈍について も、 またこのとき鋼板表面上に形成される フ オルステ ライ ト下地被膜に重ねる、 りん酸塩とコロイダルシ リ カを主成 分とする絶縁性塗布焼付層の形成についても上掲供試材と 同様な手順とした。
    [0053] 第 3図から明らかなように TiN 被膜を被成した製品の磁 気特性は、 まず B!。 値 ： 1.92 T, W17ノ 5。 値 ： 0.69 W/kg のようにきわめて良好で、 しかも圧縮応力びを 0.6 kg / ram 2 に至るまで増加しても磁気歪 λ ΡΡの増加が極めて少ない。
    [0054] これに对して通常工程（ 比較材） による製品の磁気特性 は、 Β,。 値 ： 1.90 Τ, ! 7/5 o 値 ： 0.87 W/kg で、 しか も圧縮応办を加えるほど磁気ひずみス PPが増加し、 例えば 圧縮応力びが 0:4- kg /mm 2 で磁気歪ス PPは 3.2 xlO一4にも 達するコ
    [0055] 実 験 3
    [0056] C ： 0.043 %, Si ： 3.36 %, Mn ： 0.062 %, Se ： 0.021 %, Sb ： 0.025 % 及び Mo ： 0. Q25 %を舍有するけい素鐧連 錄ス ラ ブを、 1360°Cで 4時間加熱後熱間圧延して 2.4 ami厚 の熱延板とした。
    [0057] その後 900 °cで 3分間均一化焼鈍後、 950 °Cで 3分間の 中間焼鈍をはさむ 2回の冷間圧延を施して 0.23誦厚の最終 板厚とした冷延板を得た。
    [0058] その後 820 °C湿水素中で脱炭を兼ねた 1次再結晶焼鈍を 施した後、 鋼板表面に A1203 (70%)と MgO (30%)を主成分とす る焼鈍分離剤を塗布し、 ついで 850 °Cで 50時間の 2次再結 晶焼鈍と 1200°Cで乾水素中で 5時間の純化焼鈍を施した。 その後はまず 70eCの HC1 液中で酸洗して鑭板表面に生成 していた酸化物層を除去した後、 3 % HPと H 202の溶液中で 化学研磨し、 鐧板表面を中心線粗さ 0.05 m の鏡面状態に 仕上げた。
    [0059] その後 C V D装置を用いて A1C13 と H2と N2の混合ガス雰 囲気中 800 °Cで 15時間にわたる鋼板表面上での C V D反応 により 0.8 tn 厚の MN の張力薄膜を形成させた。
    [0060] その後鑭板表面上にりん酸塩とコ 口ィ ダルシリ力を主成 分とする絶縁性塗布焼付層を形成させた後、 800 °Cで 2時 間の歪取り焼鈍を行って製品とした。
    [0061] この製品の磁歪の圧縮応力特性、 占積率ならびに磁気特 性を第 4.図にて、 通常工程材 （比較材） と比較して示す。
    [0062] な'おこのときの比铰材 ύ、 上記の 0.23mra厚の冷延板の一 部に、 820 での湿水素中で脱炭を兼ねた 1次再結晶焼鈍を 施した後、 鑭板表面上でと く に MgG を主成分とする焼鈍分 離剤を塗布したほかは、 その後 850 °Cで 50時間の 2次再結 晶焼鈍と 1200ででの乾燥水素中での 5時間の純化焼鈍につ いても、 またこのとき鐧板表面上に形成されるフ オ ルステ ライ ト下地被膜に重ねる、 りん酸塩とコロイ ダルシリカを 主成分とする絶縁性塗布焼付層の形成についても上掲供試 材と同様な手順とした。
    [0063] 第 4図から明らかなように/ UN 被膜を被成した製品の磁 気特性は、 B10 値 ： 1.92 T, W1 7/5 o 値 ： 0.71 W/kgとき わめて良好で、 しかも圧縮応力びが 0.4 kg /mm2 で磁気歪 PPは 0.25x 10— 6, また圧縮応力びを 0.6 kg /mm 2 に増加 しても磁気歪ス PPは 0.70x 10— sであり、 磁気ひずみの増加 が極めて少ない。 また占積率も 98.5 %と極端に向上してい ることが注目される。
    [0064] これに対して通常工程材 （比較材） による製品の磁気特 性は B,。 値 ； 1.90T 、 W17/50値 ； 0.87W/kgで、 圧縮応力ぴ を加えると磁気歪 PPが著しく増加し、 例えば圧縮応力 σ が 0.4kg/mm2 で磁気歪 „は3.2 x 10— sにも著増する。
    [0065] この通常工程材の製品の占積率は 96.5% で、 約 2 %程度 も劣っている。
    [0066] 以上第 1表、 第 3および第 4図の実験結果から明らかな ように、 この発明による一方向性珪素鋼板の製造方法に従 い、 磁束密度が高く、 超低鉄損の磁気特性と同時に、 磁歪 の圧縮応力特性と占積率の改善が達成される。 しかもこの 製品は歪み取り焼鈍を施しても磁気特性、 密着性の劣化が' おこらない。
    [0067] 実 験 4
    [0068] C ： 0.046%. Si： 3.39¾ 、 Mn： 0.067 、 Se： 0.023 、 St) : 0.025%、 及び Mo ： 0.026% を含有するけい素鑭ス ラ ブ を 1360'Cで 4時間加熱後熱間圧延して 2.2 mni厚の熱延板と し o
    [0069] その後 950 °cの中間焼鈍を挟み 2回の冷間圧延を施して 0.23删の最終板厚とした。
    [0070] その後 820 °cの湿水素中で脱炭を兼ねた 1次再結晶焼鈍 を施した後の鐧板表面上に Al 203 (70%)、 g0(25%). Zr02(5 を主成分とする焼鈍分離剤を塗布し鋼板表面上にスラ リ 一塗布した。 引続き 850 °Cで 50時間の焼鈍により 2次再結 晶させた後 1200でで 10時間乾水素中で純化焼鈍を施した。 その後鑭板表面上の酸化物を除去した後、 化学研磨によ り鑭板表面を中心線平均粗さ 0. 1 μ ^Ά の鏡面状態に仕上げ 次に、 イオンプレーティ ング装置として、 試料に 3 kg / mm 2 までの荷重をかけると同時に 1300 °Cまで試料加熱がで きるようにした実験装置を使用して、 鋼板を加熱すると同 時に張力をかけた状態でィオンプレーティ ングを行なって 鋼板表面上に T i N 被膜（0. 8 m 厚） を形成させた。
    [0071] このような T i N 被膜を形成させた後リ ン酸塩とコロイ ダ ルシリ力を主成分とするコ一ティ ング液でコ一ティ ング処 理し、 このときの製品の磁気特性の実験結果をィオ ンプレ 一ティ ング時の試料温度と試料の引張り荷重との闋係で第 5図に示す。 ' - 第 5図から明らかなようにイオンプレーティ ング時の試 料温度が 100 °C〜110(TCの温度範囲で試料の引張り荷重が 2 kg /画2 以下より望ましく は、 200 °Cから 700 °Cの温度 範囲で 0. 1 kg / mm 2 から 1. 5 kg / mm 2 の張力をかけ、 きわ めて良好な磁気特性が安定して得られた。
    [0072] 実 験 5
    [0073] C ： 0. 044%. S i ： 3. 32% 、 Mn ： 0. 066%. Se ： 0. 022%、 Sb ： 0. 025%及び Mo ： 0. 022%を舍有するけい素鐧スラブを 13 80 °Cで 6時間加熱後熱間圧延して 2. 3 ΠΜΙ厚の熱延板とした c その後 950 での中間焼鈍を挟み 2回の冷間圧延を施して 0. 23画の最終板厚とした冷延板を得た。
    [0074] その後 820 °Cの湿水素中で脱炭を兼ねる 1次再結晶焼鈍 を施した後の鋼板表面上に A l 203 (65%)、 Mg0 (30%)、 Zr02 (3 %)、 Ti02 (2%)を主成分とする焼鈍分離剤を塗布し鋼板表面 上にスラ リ ー塗布した。 引続き 850 °Cで 50時間の焼鈍によ り 2次再結晶させた後 1200°Cで 5時間乾水素中で純化焼鈍 を施した。
    [0075] その後鋼板表面上の酸化物を除去した後、 電解研磨によ り鋼板表面を中心線平均粗さ 0.1 の鏡面状態に仕上げ o
    [0076] 次に CVD 装置として、 試料に 3kg/固2 までの荷重をか けると同時に 1300でまで試料加熱ができるようにした実験 装置を使用して、 鋼板を加熱すると同時に張力をかけた状 態で TiCl4 と H2と N2の混合ガス中で処理し鐧扳表面上に TiN の被膜（0.9 m 厚） を形成させた。
    [0077] この' CVD 処理後の鐧板表面上にリ ン酸塩とコ口ィ ダルシ リ 力とを主成分とするコ一ティ ング液でコーティ ング処理 した。
    [0078] このときの製品の磁気特性の実験結果を CVD 処理時の試 料の温度と試料の引張り荷重との関係を第 6図に示す。
    [0079] 第 6図から明らかなように CVD 時の試料温度が 450 ：〜 1100°Cの温度範囲で 2 kg / nra2 より望ましく は 500 °C〜 1000°Cの温度範囲で 0.1 kg / mm 2 から 1.5 kg / mm 2 の張力 をかけ、 きわめて良好な磁気特性が安定に得ら—れた。
    [0080] 引続き上記各実験例で述べた TiN . A1N のほかの他の窒 化物ならびに T iなども含めた炭化物についても同様な実 験を行って同等の効果が得られることがたしかめられた。
    [0081] 次にこの発明による、 一方向性けい素鋼板の製造工程に ついて説明する。 まず、 素材は従来公知の一方向性けぃ素鑭素材成分、 例 えば
    [0082] ① C ： 0.01〜0.06¾ 、 Si:2.0〜4.0%、
    [0083] n:0.01 ~0.2%
    [0084] さ らに S及び Seのうち 1種又は 2種合計で 0.005 〜0.05 %舍有する組成
    [0085] ② C ： 0.01〜0.06% 、 Si： 2.0 〜4.0%、
    [0086] Μπ:0.01〜0.2%、 Sb:0.005〜0. 、
    [0087] さ らに S及び Seのうち 1種又は 2種合計で 0.005 〜0.05 %舍有する組成
    [0088] ③ C ： 0.01〜0.06 Si ： 2.0 〜4.0 、
    [0089] Mn:0.01〜0.2%、 Sb:0.005〜0.2%、
    [0090] Mo:0.003 〜0.1 、 さらに · S又は Seの 1種あるいは 2種合計で、 0.005 〜0.05% 含 有する組成
    [0091] ④ C ： 0.01〜 06% 、 Si:2.0〜4· 0%、
    [0092] Mn:0.01 ~0.2%, sol. A1:0. 〜 0.06% 、
    [0093] N ： 0.001 ~0.01%
    [0094] さらに S及び Seのうち 1種又は 2種合計で 0.005 〜0.05 %舍有する組成
    [0095] ⑤ C ： 0.01〜0.06% 、 Si :2.0〜4.0%、
    [0096] Mn:0.01 〜0.2%、 sol. A1 :0.005〜0.06% 、
    [0097] N ： 0.001 〜0.01% 、 o： 0.003 〜0.1 % 、
    [0098] さらに S及び Seのうち 1種又は 2種合計で 0.005 〜0.05 %含有する組成
    [0099] ⑥ C ： 0.01〜0.06% 、 Si:2.0〜4.0%、 Mn:0.01 〜0.2%、 sol. Al :0, 005〜0.06% 、
    [0100] N ： 0.001 〜0.01% 、 Sn： 0.01〜0.5%、
    [0101] Cu:0.01 〜1.0%
    [0102] さらに S及び Seのうち 1種又は 2種合計で 0.005 0.05 %含有する組成
    [0103] ⑦ C ： 0.01〜0.06% 、 Si:2.0〜4.0%、
    [0104] Mn:0.01 〜0. ヽ B：0.0003 〜0.02% 、
    [0105] N ： 0.001 〜0.01% 、
    [0106] さらに S及び Seのうち 1種又は 2種合計で 0.005 0.05
    [0107] %含有する組成
    [0108] ⑧ C ： 0.0ト 0.06% 、 Si 2.0〜4.0%、
    [0109] Mn:0.01 〜.0· 2%, Β 0.0003 ~0.02% 、
    [0110] Ν ： 0.001 〜0.01% 、 Cu 0- 01 〜1.
    [0111] さらに S及び Seのうち 1種又は 2種合計で 0.005 0.05 %含有する組成
    [0112] の如きにおいて適合する。
    [0113] ここに上記各成分量が妥当な理由は次のとおりである。 C ： 0.01〜0.06%
    [0114] Cは 0.01% より少ないと熱延集合組織制御が困難で大き な伸長粒が形成されるため磁気特性が劣化し、 一方 Cが 0.06¾ より多いと脱炭工程で脱炭に時間がかかり経済的で ないので 0.01〜 0.06%の範囲にする必要がある。
    [0115] Si： 2.0 〜U%
    [0116] Siは 2.0%より少ないと電気抵抗が低く渦電流損失増大に 基づく鉄損値が大きくなり、 一方 4. (^より多いと冷延の際 にぜぃ性割れを生じ易いため、 2.0 〜4. (^の範囲にする必 要がある。
    [0117] n： 0. 01〜0· 2%
    [0118] は一方向性けい素鋼板の 2次再結晶を左右する分散析 出相 （ィ ン ヒ ビター） の MnS あるいは Mn Seを形成する重要 な成分である。 Μπ量が 0. 01¾ を下廻ると 2次再結晶を起こ させるのに必要な MnS あるいは MnSeなどの全体量が不足し、 不完全 2次再結晶を起こすと同時に、 ブリ スターと呼ばれ る表面欠陥が増大する。 一方 Mn量が 0. 2%を超えると、 ス ラ ブ加熱時において Mn S あるいは MnS eなどの解離固溶が因難 となる。 またかりに解離 · 固溶が行われたとしても熱延時 に折岀する分離析出相は粗大化しやすく 、 イ ンヒ ビターと して望まれる最適サイズ分布は損なわれ、 磁気.特性は劣化 するので Mnは 0. 01〜0. 2%の範囲にする必要が る。
    [0119] S ： 0. 005%以上、 Se : Q. 003¾ 以上でそれぞれ又は 2種の合 計 ： 0. 05% 以下
    [0120] S , Seはそれぞれ 0. 005%、 0. 003%より少ないと MnS， MnSe の 1次粒成長抑制効果が弱く、 一方それぞれ 0. 05% より多 いと熱間および冷間加工性が著しく劣化するので、 S， Se の何れか少なく とも 1種を Sにあっては 0. 005 〜0. 05% 、 Seにあっては 0. 003 〜0. 05% の範囲内にする。
    [0121] Mo： 0. 003 〜0. 1%
    [0122] Moは 1次粒成長抑制剤、 （特公昭 57- 14737号公報および 特公昭 56- 4613 号公報参照） で、 Moが 0. 003%より低いと 1 次粒抑制効果が明瞭にあらわれず、 一方 0. 1%より多いと熱 間および冷間加工性が低下し、 また鉄損が劣化するので Mo は 0. 003 〜0. 1%の範囲内にする必要がある。 Sb： 0.005 〜0.20%
    [0123] Sbは特公昭 38- 8214 号公報にて 0.005 〜0.1%、 特公昭 51 - 13469号公報で 0.005 〜0.2%に拡張した範囲で、 微量の Se または Sとともに舍有させることにより、 1次粒の成長が 抑制されることが開示されているとおり、 その含有量は 0.005%より少ないと 1次再結晶粒抑制効果が少なく、 一方 0.2%より多いと磁束密度が低下し始めて磁気特性を劣化さ せるので Sbは 0.005 〜0.2%の範囲内にする必要がある。 Sol. A1 ： 0.005 〜0.06¾
    [0124] A1は鐧中に含まれる Nと結合して A1 の微細析出物を形 成し、 強力なィ ン ヒ ビタ一として作用する。 と く に、 冷延 圧下率 80〜95% の強冷延法によって { 110} <001> 方位の 2次再結晶粒を発達させるためには、 Sol. Mとして 0.005 〜0.06% の範囲で適合する。 というのは Sol. A1が 0.005%未 満ではィ ンヒ ビターとしての 微細析出物の析出量が不 足し、 { 110} く 001〉 方位の 2次再結晶粒の発達が不充分 となり、 一方 0.06% を超えるとかえつて { 110} <001> 方 位の 2次再結晶粒の発達が悪くなるからである。
    [0125] B ： 0.0003〜0.02%
    [0126] Bは鋼中 Nと結合して BNの微細析出物となるが、 大量に 添加されていると { 110} <001> 方位の 2次再結晶粒発達 を困難にさせるため 0.0003〜0.02% の範囲がのぞましい。 なお、 この Bの添加効果はすでに Grenobleや Fiedler { H. E. Grenoble: IEBB Trans. Mag, May-13 (1977) , P1427 and H. C. Fiedler:IEEE Trans. Mag, May-13 (1977) , P1433 } が明 らかにしたように微量の Bあるいは微細 BNは粒界移動を抑 制し、 イ ン ヒ ビターの役割をすると考えられる。
    [0127] N ： 0.001 〜0.01%
    [0128] Nほ鋼中の Sol. Alあるいは Bと結合して A1N あるいは B の微細析出物を形成し、 1次再結晶粒の成長を抑制するた めの強力なィ ン ヒ ビターとして作用するが、 Nが 0.001 未 満では A1N あるいは BN微細析出物の析出量が不足するため イ ン ヒ ビタ一効果が弱く { 110} <001> 方位の 2次再結晶 粒の発達が不充分となり、 一方 0.01% を超えると固溶 Nが ふえて鉄損の劣化を招くため、 Nは 0.001 〜0.01% の範囲 に限定する必要がある。
    [0129] その他このけい素鐧素材には、 Cr， Ti， V， Zr, Nb， Ta, Co, i, Cu， Sn, P, Asおよび Teなどの一般的なィ ン ヒ ビタ 一形成元素 を少量含有することも許容される。 例えば、 K. Iwayaffla ら iこよな o 1 es of Τ ί η and し opper in the 0.23tnra、 Thick High Permeability Grain Oriented Silicon Stee 1： J. Ap 1. Phys. , 55 (1984), P.2136"において示されているように、 鐧 中成分として少量の Cuと Snを複合添加することが効果的で、 特に最近では低鉄損化のため製品板厚を薄くすると一般に 2次再結晶が不安定となるので、 このため 0.01〜0.5%程度 の Sn添加、 また被覆の安定化のため 0.01〜1.0%程度の Cu添 加は望ま しいところである。
    [0130] 次にこの発明による一連の製造工程について説明する。 まず素材を溶製するには LD転炉、 電気炉、 平炉その他公知 の製鋼炉を用いて行い得ることは勿論、 真空処理、 真空溶 解を併用することができる。
    [0131] 次に熱延板は 800 〜 1200 °Cの温度範囲において均一化焼 鈍を施すが、 場合によってはこの焼鈍後に急冷処理を施し すことが好ましい。 その後 1回の強冷間圧延で最終板厚と する 1回強冷延法か又は通常 850 °Cから 105(TCの中間焼鈍 を挟んで 2回の冷延を施す 2回冷延法にて、 後者の場合好 適には最初の圧下率は 50% から 80% の圧下率、 最終の圧下 率は 30% から 80% の圧下率で、 0. 15mniから 0. 35隱厚の最終 冷延板厚とする。
    [0132] この最終冷延を終わり製品板厚に仕上げた鑭板は、 表面 脱脂後 750 でから 850 °Cの湿水素中で脱炭を兼ねた 1次再 結晶焼鈍処理を施す。
    [0133] このような処理を行った後鐧板表面上に焼鈍分離剤を塗 布する。 この際一般的には仕上げ焼鈍後の形成 .不可欠と していたフ ォルステラィ トを形成させた場合でも、 この発 明ではその除去を行うのでむしろ形成させない方がその後 の鋼板の鏡面処理を簡便にするのに有効であり、 従って焼 鈍分離剤として MgO 主体のものを用いる場合のほか、 とく に/ 203， Zr 02, T i 02 などを、 50% 以上 MgO に混入するのが 好ましい。
    [0134] その後 2次再結晶焼鈍を行うが、 この工程は { 110 } <001> 方位の 2次再結晶粒を充分発達させるために施され るもので、 通常箱焼鈍によつて直ちに 1000 °C以上に昇温し, その温度に保持することによつて行われる。
    [0135] この場合 { 110 } <001> 方位に、 ί¾度に揃った 2次再結 晶粒組織を発達させるためには 820 °Cから 900 °Cの低温で 保定焼鈍する方が有利であり、 そのほか例えば、 0. 5 〜15 °C / hの昇温速度の徐熱焼鈍であよい。 2次再結晶焼鈍後の純化焼鈍は、 乾水素中で 1100°C以上 で 1〜20時間焼鈍を行って、 鋼板の純化を達成することが 必要である。
    [0136] この純化焼鈍後に鋼板表面のフ オルステライ ト下地被膜 ないしは焼鈍分離剤残渣としての酸化物層を公知の酸洗に よるような化学的除去法や切削、 研削などの機械的除去法 又はそれらの組合わせにより除去する。
    [0137] この酸化物除去処理の後、 必要に応じて化学研磨、 電解 研磨などの化学的研磨や、 パブ研磨などの機械的研磨又は それらの組合わせで、 鋼板表面を鏡面状態に仕上げる。 一 ここで超坻鉄損の製品を得るための最適仕上表面の中心 線平均粗さは Ra≤0.4 の鏡面状態である。 Ra〉 -0.4 と なると鉄損低減の程度は減少する傾向があるが、.'それでも なおかつ本発明の方法による鉄損低減効果は従来公知の方 法に比べてもなお充分優れているものである。 例えば上述 したように仕上表面が酸洗等の化学的方法あるいは切削 · 研削等の機械的方法により酸化物を除去した程度の表面粗 さであつても本発明の方法によれば相応の効果が期待でき るのである。
    [0138] この酸化物層の除去又はさ らにその後の研磨仕上げのあ と、 Ti、 Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mn, Cr, Mo, W, Co, i, Al, B 及び Siの 窒化物及び/又は炭化物のうちから選んだ少なく とも 1種 より主として成り、 それらの地鉄との混合層を介し鋼板表 面へ強固に被着した少なく とも 1層の被膜を形成させるわ けであるか、 この被膜の形成にはすでに触れた CVD 法、 PVD 法が何れも適合し、 前者は低温 CVD 、 高温 CV.D 、 減圧 CVD 、 常圧 CVD 、 プラズマ CVD 、 レーザー CVD および光 CVD など また後者はスパッ タ リ ング、 イ オ ンプレーティ ング、 ィ ォ ンィ ンフ。ラ ンテーシ ョ ン、
    [0139] などが何れも好適である。 前者の VD 法では実験 6から明 らかなように CVD 時の試料温度が 450 °Cから 1100°Cの温度 範囲で 2 kg / mm 2 以下の張力下において超低鉄損の製品が 安定して得られる。 また後者の PVD 法では実験 5から明ら かなように PVD 時の試料温度が 100 °Cから 1100°Cの温度範 囲で 2 kg /mm 2 以下の張力下において超低鉄損の製品が安 定して得られる。 この被膜の形成は、 0.005 〜 5 m の範 囲に膜厚を制御すべきで、 その理由は、 被膜の張力効果が 0.005 m 以上で充足ざれ得る反面 5 v"m を越えるのは占 積率の面で不利だからである。 - 一方被膜形成の別法として、 予め Ti, Zr, Hf, V, Nb,Ta， Mn, Cr, Mo, W, Co, Hi, Al， B及び Siのうちから選んだ少なく とも 1 種の元素による蒸着膜を上記の酸化物層を除去し、 又はさ らにその後の研磨仕上げを施した鋼板表面に被成し、 この 蒸着膜に窒化及び/又は炭化処理を施すようにしてもよい c この窒化及び/又は炭化処理は、 非酸化性雰囲気中にお ける綱中 N , Cの純化促進焼鈍ゃ窒化、 炭化性ガス雰囲気 中における、 浸窒、 浸炭作用を伴う焼鈍がのぞま しい。
    [0140] また上記の被膜の形成は、 鐧板表面上における区画形成 つまり、 鋼板の圧延方向を横切って 1〜50mm幅、 1〜20画 の間隔をあける、 被覆領域と、 非被覆領域との交互形成と することができ、 これによつて鑭板表面上の張力弾性歪を 不均一にし、 かく して磁区の細分化による鉄損低減を一層 有利に導く ことができる。
    [0141] 以上何れの場合も被膜は 0. 005 〜 5 m 程度の厚みで形 成させるのが効果的である。
    [0142] 0. 005 ju m 未満の被膜は張力効果が小さいため鉄損を低 下させる効果が小さ く、 また 5 / m 超過では膜厚が厚くな るため占積率が低下するのと経済的ではないので、 張力被 膜の膜厚は 0. 005 〜 5 m が好適である。
    [0143] さらにこのようにして形成させた被膜上には、 場合によ つてはりん酸塩とコ ロイ ダルシリ力を主成分とする絶縁性 塗布焼付層を形成することは、 100 万 KV / にも上る大容量 ト ラ ンスの使途において当然に必要であり、 この絶緑性塗 布焼付層の形成の如きは、 従来公知の手法をそのまま用い て良い。 ' ' さらに別途このような処理を施した後の鑭板に局所塑性 歪を導入することもでき、 例えば、 レーザ一照射法の場合 使用する レーザ一は Y AG レーザーが良好で、 その使用条件 はエネルギー 1 〜 10 x 10— 3 J 、 スポッ ト直径 0. 05〜 0. 2 mm . スポッ ト中心間隔 0. 1 〜 0. 5 删、 レーザー走査痕間隔 3 〜 30關とするのが適切である。
    [0144] このようなレーザ一照射をした後 600 °C以下で低温絶縁 コ 一ティ ングが施される。
    [0145] このときの低温絶縁被膜はレーザー照射効果を生かすた め低温で焼付けするものでこの絶縁コ一ティ ングは従来公 知の処理液で行って良い。 なお、 前記局所歪を導入する方 法と しては放電加工、 プラズマジエツ ト加工、 ウォータジ ェッ ト加工や線引きなどの機械加工なども適用可能である, さらに上記の被膜を形成させる際には鏡面鐧板上に均一 に形成させない、 被膜形成領域とそうでない領域を交互に 区画形成させることによつても超鉄損化を達成することが できる。 すなわちこの区画形成領域は 1〜50隱幅、 またそ のときの間隔は 1〜 20mmの範囲で交互に形成させるのが効 果的である。 その区画形成方法はマスキングで行なうなど 従来公知の手法を用いてよい。 このように形成した被膜上 に絶縁被膜を塗布焼付か施される。
    [0146] 発明を実施するための最良の形態
    [0147] 実施例 1
    [0148] C 0. 046% 、 S i 3. 36¾. n 0. 068% 、 Se 0. 022% 、 o 0. 025% および Sb 0. 025% を含有するけい素鋼スラブを熱 間圧延により 2. 4 删厚の熱延板'とした。 · '
    [0149] その後 950 °Cの中間焼鈍を挟み 2回の冷間圧延を施して 0. 23讓の最終板厚とし、 冷延板を得た。
    [0150] その後 820 °Cの湿水素中で脱炭を兼ねた 1次再結晶焼鈍 を施した後 2種類の鐧板をおのおの 2分して一、
    [0151] (1)鋼板表面上に Mg[] を主成分とする焼鈍分離剤をスラ リ一 状に塗布
    [0152] (2)鋼板表面上に A l 203 (60%)、 Mg0 (25%)、 Zr 03 (10%) 、 T i 02 (5%)からなる焼鈍分離剤を、 ス ラ リ ー状塗布
    [0153] による 2通りの処理を行いその後何れも 85Q °Cで 50時間の 焼鈍により 2次再結晶させた後、 1200 °Cで 5時間乾水素中 で純化焼鈍を施した。
    [0154] その後鋼板表面上のフ ォ ルステラィ ト下地被膜あるいは 酸化物層を、 (A) 酸洗により除去したもの、 および
    [0155] (B) 酸洗除去後化学研磨により鐧板表面を中心線平均粗さ 0. 以下の鏡面状態にしたもの
    [0156] についてその後 CVD 法により鐧板表面上に TiN(0.6 am 厚） の極薄張力被膜を形成させた。
    [0157] (A), (B) 何れについても 1部の試料はりん酸塩とコ ロイ ダルシリ力を主成分とするコーティ ング液を塗布し、 コー テ ィ ング処理を施した。
    [0158] そのときの製品の磁気特性を通常工程材と比較して表 2 に示す。
    [0159] 表 2
    [0160]
    [0161] 実施例 2
    [0162] (a) C 0.038% 、 Si 3.08%、 n 0.058% 、 及び S 0.025%
    [0163] (b) C 0.039% 、 Si 3. 11%、 Mn 0.066% 、 S 0.003% 、 Se 0.019%
    [0164] をそれぞれ含有するけい素鋼スラブを熱間圧延により 2.4 ram 厚の熱延板とした。
    [0165] その後 950 °Cの中間焼鈍を挟み 2回の冷間圧延を施して 0.30誦の最終板厚として冷延板を得た。
    [0166] その後 820 °Cの湿水素中で脱炭を兼ねた 1次再結晶焼鈍 を施した後 2種類の鋼板をおのおの 2分して、
    [0167] (1)鋼板表面上に MgO を主成分とする焼鈍分離剤をスラ リ一 状にして塗布 ·
    [0168] (2)鋼板表面上に Al 203 (60%)、 Mg0(25%)、 Zr02 (10% )、 Ti02 (5%)から成る焼鈍分離剤をスラ リ 一状にして塗布
    [0169] による 2通りの処理を行いその後何れも 820 でから 5 °C / hrで 1050°Cまで直上げして 2次再結晶させた後、 1200°Cで 5時間乾水素中で純化焼鈍を施した。
    [0170] その後鐧板表面上のフ オ ルステ ラ イ ト下地あるいは酸化 物層を、
    [0171] (A) 酸洗により除去したもの、 及び、
    [0172] (B) 酸洗除去後化学研磨により鑭板表面を中心線平均粗さ 0.4 ju m 以下の鏡面状態にしたもの
    [0173] について、 その後 CVD により鋼板表面上に TiN (0.6 β η 厚） の極薄張力被膜を形成させた。
    [0174] (A), (Β) 何れについても 1部の試料はりん酸塩とコロイ ダルシ リ カを主成分とするコ一ティ ング液を塗布し、 コー テ ィ ング処理を施した。
    [0175] そのときの製品の磁気特性を通常工程材と比較して表 3 に示す。
    [0176] 表 3
    [0177]
    [0178] 実施例 3
    [0179] (a) C 0.046% Si 3.09%、 n 0.072% S 0.025% 、 Sol.
    [0180] Al 0.020% N 0.069% 、
    [0181] (b) C 0.052% Si 3.39%、 Mn 0.081% N 0.073% 、 S
    [0182] 0.031%、 Sol. Al 0.024¾ 、 Cu 0.1 SnO.08¾
    [0183] (c)C 0.049% 、 Si 3.45%、 Mn 0.078¾ S 0.019% 、 Sol.
    [0184] Al 0.025% 、 N 0.069% 、
    [0185] をそれぞれ含有するけい素鐧スラブを熱間圧延により 2.2 画厚の熱延板とした後、 1150°Cで 3分間の均一化焼鈍後急 冷処理した。
    [0186] その後 950 °Cの中間焼鈍を挟み 2回の冷間圧延を施して 0.23躍の最終板厚とした冷延板を得た。
    [0187] その後 840 °Cの湿水素中で脱炭を兼ねた 1次再結晶焼鈍 を施した後 2種類の冷延板をおのおの 2分して、
    [0188] (1)鋼板表面上に MgO を主成分とする焼鈍分離剤をスラ リ一 状にして塗布
    [0189] (2)鑭板表面上に Al 203 (60%)、 Mg0(25%)、 Zr02(10%) 、 Ti02 (5%)から成る焼鈍分離剤を、 ス ラ リ ー状塗布
    [0190] による 2通りの処理を行いその後何れも 850 でから 10°C / hrで昇温させる焼鈍により 2次再結晶させた後、 1200°Cで 5時間乾水素中で純化焼鈍を施した。
    [0191] その後鑭板表面上のフ ォ ルステラィ ト被膜あるいは酸化 物を、
    [0192] (A) 酸洗により除去したもの、 および、
    [0193] (B) 酸洗除去後化学研磨により鋼板表面を中心線平均粗さ 0.4 M m 以下の鏡面状態にしたもの についてその :CVD により鋼板表面上に TiN (0.6 厚） の極薄張力被膜を形成させた。
    [0194] (A), (B) 何れについても 1部の試料はりん酸塩とコロイ ダルシリ力を主成分とするコ ーテ ィ ング液を塗布し、 コ一 ティ ング処理を施した。
    [0195] そのときの製品の磁気特性を通常工程材と比較した結果 を表 4に示す。
    [0196] 表 4
    [0197]
    [0198] 実施例 4
    [0199] (a) C 0.043% 、 Si 3.29%、 Mn 0.053% S 0.030% 、 B 0.029%、 Cu 0.25%. N 0.0076%、
    [0200] (b) C 0.039% 、 Si 3.39%、 Mn 0.062¾ S 0.028% 、 B
    [0201] 0.0036% Cu 0.39%、 N 0.082；
    [0202] (c)C 0.038% 、 Si 3.28%. Mn 0.063$ S 0.027% 、 B
    [0203] 0.0028% 、 N 0.0068%、
    [0204] をそれぞれ舍有する。 けい素鐧スラブを熱間圧延により 2.3 誦厚の熱延板とした後、 950 °Cで 3分間の均一化焼鈍を施 ？レ す /- o
    [0205] その後 900 °Cの中間焼鈍を挟み 2回の冷間圧延 （ 1次冷 延率 ： 約 80% 、 2次冷延率 ： 約 50% ) を施して 0.23咖の最 終板厚とじた冷延板を得た。
    [0206] その後 830 での湿水素中で脱炭を兼ねた 1次再結晶焼鈍 を施した後 2種類の冷延板をおのおの 2分して
    [0207] (1)鋼板表面上に MgO を主成分とする焼鈍分離剤をスラ リ ー 状にして塗布
    [0208] (2)鐧板表面上に Al 203 (60%)、 Mg0(25%). Zr02(10%) 、 Ti02 (5%)から成る焼鈍分離剤を用い、 ス ラ リ ー状塗布
    [0209] により 2通りの処理を行いその後何れも 850 °Cから 10°C / hrで昇温させる焼鈍により 2次再結晶させた後、 1200でで 5時間乾水素中で純化焼鈍を施した。
    [0210] その後鐧板表面上のフ オ ルス ト ライ ト下地被膜あるいは 酸化物層を、
    [0211] (A) 酸洗により除去したもの、 および、
    [0212] (B) 酸洗除去後化学研磨により鋼板表面を中心線平均粗さ 0. ^m 以下の鏡面状態にしたもの
    [0213] についてその後 CVD により鋼板表面上に TiN(0.6 urn 厚） の極薄張力被膜を形成させた。
    [0214] (A), (B) 何れについても 1部の試料はりん酸塩とコロイ ダルシ リ力を主成分とするコ一ティ ング液を塗布し、 コ一 テ ィ ング処理を施した。
    [0215] そのときの製品の磁気特性を通常工程材と比較した。 その結果を表 5に示す。
    [0216] 表 5
    [0217]
    [0218] 実施例 5
    [0219] (a) C 0. QU% 、 Si 3.32%、 Mn 0.066% 、 Se 0.019% 、 Mo 0.022% および Sb 0.028%
    [0220] (b) C 0.041% 、 Si 3.35%. n 0.063% 、 Se 0.018% 、 Sb 0.025%
    [0221] をそれぞれ含有するけい素鐧スラブを熱間圧延により 2.2 隱厚の熱延板とした。
    [0222] その後 950 °Cの中間焼鈍を挟み 2回の冷間圧延を施して 0.23删の最終板厚とした冷延薄鋼板を得た。
    [0223] その後 820 °Cの湿水素中で脱炭を兼ねる 1次再結晶焼鈍 を施した後の鋼板表面上に Al 203 (70%)、 Mg0(25%)、 Zr02(3 %)、 Ti02 (2%)から成る焼鈍分離材を用い、 ス ラ 一状に塗 布した。，そ©後 850 °Cで 50時間の焼鈍により 2次再結晶さ せた後 1200°Cで 8時間乾水素中で純化焼鈍を施した。
    [0224] その後鑭扳表面上の酸化物を
    [0225] (A) 酸洗により除去したもの、
    [0226] (B) 研削により除去したもの、
    [0227] (0 酸洗除去後化学研磨により鋼板表面を中心線平均粗さ
    [0228] 0.1 m 以下の鏡面状態にしたもの、
    [0229] (D) 酸洗除去後電解研磨により鋼板表面を中心線平均粗さ
    [0230] 0.1 μ ^α 以下の鏡面状態にしたもの、
    [0231] (Ε) 酸洗除去後パフ研磨により鋼板表面を中心線平均粗さ
    [0232] 0.1 M m 以下の鏡面状態にしたもの、
    [0233] (F) 研削除去後化学研磨により鋼板表面を中心線平均粗さ
    [0234] 0.1 ju m 以下の鏡面状態にしたもの、
    [0235] についてイオンプレーティ ング法により表面上に TiN(0.8 m 厚） を形成させた後コーティ ング処理を施した。
    [0236] そのときの製品の磁気特性を通常工程材と比較して表 6 に示す。 .
    [0237] 表 6 特 性 素 材 成 分 (wi%) : h遍後の跚應戮. ，
    [0238] Βι ο (ΐ) W17/50(W/kg)
    [0239] (a) C 0.044%, Si 3.32¾, (a繊により除去したもの、 1.91 0.79 Mn 0.066%, Se 0.019%
    [0240] Mo 0.022%, Sb 0.028°ん (WfiJ iliこより除去したもの、 1.91 0.78 本
    [0241] (c醒繼去 匕学 1赠 り鰣反 面を^!^抨 且さ 1.92 0.71 0.1 m ¾下の »1 こしたもの、
    [0242] 発 (d画余去藝 ί鶴に 囊議を Φ/Ιΐ扉權さ 1.92 0.72
    [0243] 0.1 m ¾ の こしたもの、
    [0244] (e «去後パフ り ^且さ 1.92 0.74 明 0.1 ^ 下の こしたもの、
    [0245] 1.92 0.74
    [0246] 0.1 m ¾下の麵-懲こしたもの、
    [0247] 膽ェ謝 1.89 0.92
    [0248] (b) C 0.041%, Si 3.35%, (a繊により除去したもの、 1.91 0.81 Mn 0.063% Se 0.018%,
    [0249] Sb 0.025%, (bi Ijiこより除去したもの、 1.91 0.79 本
    [0250] (c腳余去 ^聽 り麵 iを中'聽職さ 1.91 0.76 0.1 m 1¾下の »|»こしたもの、
    [0251] 発 晴纖拷藤職 り瞧孝面を Φ隱職さ 1.91 0.75
    [0252] 0.1 m I の こしたもの、
    [0253] (e誦 精パフ こより麵 ¾ψ珊さ 1.92 0.77 明 0.1 Mm ¾下の»1«こしたもの、
    [0254] (帽 !^研磨 り賺 を 1. さ 1.92 0.76 0.1 Mm 下の«» したもの、
    [0255] 腿'工程材 1.89 0.93
    [0256] 実施例 6
    [0257] C 0.056% 、 Si 3.39%. Mn 0.068% 、 S 0.018% 、 Sol. Al 0.025% および N 0.0076%を含有するけい素鋼熱延板 (1.8咖厚） を 1050°Cで 3分間の均一化焼鈍後、 950 °Cの中 間焼鈍をはさんで 2回の冷間 延を施して 0.23咖厚の最終 冷延板とした。 その後 820 °Cで 3分間の脱炭を兼ねた 1次 再結晶焼鈍を施した後、 A1203 (60¾) 、 Mg0(25%). Zr02 (10%) 、 TiO 2 (5%)を主成分とする焼鈍分離剤をスラ リ ー状 に塗布した。
    [0258] その後 850 でから 8 °C/hr で 105(TCまでの 2次再結晶焼 鈍を行なった。 さ らにその後 1200°Cで 6時間乾水素中で純 化焼鈍 ¾：行なつた後、 酸洗により表面の酸化物を除去し、 電解研磨により鋼板表面を鏡面状態にした： その後 CVD (表 7中無印） イ オ ンプレーティ ング （表 7中の〇印） および イ オ ンイ ンプラ ンテーショ ン （表 7中の厶印） により種々 の薄膜 （約 0.6 〜0.7 urn 厚） を形成させた後、 りん酸塩 とコ ロイ ダルシ リ 力とを主成分とするコ ーティ ング被膜を 形成させた。 そのときの製品の磁気特性を表 7にまとめて 示す。
    [0259] 実施例 Ί
    [0260] C 0.044% 、 Si 3.43¾. Mn 0.063% 、 Se 0.025% 、 Mo 0.023%、 Sb 0.025 を含有する熱延板を 900 でで 3分間の 均一化焼鈍後 950 °Cの中間焼鈍を挟んで 2回の冷間圧延を 施して 0.23mmの最終板厚として冷延板を得た。
    [0261] その後 820 °Cの湿水素中で脱炭 · 1次再結晶焼鈍後、 鋼 板表面に Al 203 (70%)、 Mg0(25%)、 Zn0(4%) 、 Ti02(l%)を主 成分とする焼鈍分離剤-さ塗布した後 850 °Cで 50時間の 2次 再結晶焼鈍し、 1180でで 5時間乾水素中で純化焼鈍を行つ その後軽酸洗により鋼板表面上の酸化物被膜を除去後、
    [0262] 3%HFと H 202液中で化学研磨して鏡面に仕上げた。
    [0263] その後ィオ ンプレーティ ングにより、 試料表面温度.約 450 でで、 試料引張り荷重 0.6 kg / mm 2 で、 S i 3N 4， A 1 N, T iC, T i
    [0264] ZrN, HfN,: N， ZrCおよび Ti (CN) (いずれも 0.8 m 厚） の 張力被膜形成後、 絶縁被膜を形成させた。
    [0265] そのときの製品の磁気特性、 磁歪の圧縮応力特性 （圧縮 応力 σが 0.4 kg/ mm2 および 0.6 kg/ mm 2 での磁気歪 PP の値） および占積率を表 8に示す。
    [0266] 表 8
    [0267]
    [0268] 実施例 8
    [0269] C 0.043% 、 Si 3.36%、 n 0.067% 、 Se 0.021% 、 Sb 0.025%、 Mo 0.025%を舍有する珪素鋼を 1360°Cで 6時間加 熱後熱間圧延を施して 2.2 mm厚の熱延板とした。 その後 900 °Cで 3分間の均一化焼鈍後、 950 での中間焼鈍をはさんで 2回の冷間圧延を施して 0.23誦厚の最終冷延板とした。
    [0270] その後 800 tの湿水素中で脱炭 · 1次再結晶処理を施し た後鋼板表面上に Al 3 (60%)、 Mg0 (30%)、 Zn0(5%) 、 Zr02 (2°/o), TiQ2 (3%) を主成分とする焼鈍分離剤をスラ リー塗布 した。 その後 850 °Cで 50時間の焼鈍により 2次再結晶させ た後、 1200°Cで 5時間乾 H2中で鈍化焼鈍を施した。
    [0271] その後鋼板表面 ：の酸化物を除去した後、 電解研磨によ り.鋼板表面を中心線平均粗さ 0. 1 β <η の鏡面状態に仕上げ その後種々の P VD 法 {①マグネ ト ロ ン · スノ、°ッタ リ ング 法、 ② EB+RF 法、 ③ HCD 法、 ④マルテ ィ · アーク法及び⑤ イ オ ンィ ンプラ ンテーシ ョ ン法） により鋼板表面上に TiN の薄膜を形成させた （膜厚は 0.8 〜1.0 m)。 このときの 薄膜形成の際の試料温度は 250 °C、 またそのときの試料の 引張り張力は 0.6 kg/ mm2 で行なった。 表 9 は製品の磁気 特性および薄膜の X線解析結果を同時に示す。
    [0272] また比較のため現行法による製造法、 すなわち脱炭 · 1 次再結晶焼鈍後、 鋼板表面上に MgQ を主成分とする焼鈍分 離剤をスラ リ一塗布した後 850 °Cで 50時間 2次再結晶させ た後 1180 で 5時間の乾 H2中で純化焼鈍させると共に鋼板 表面上にフ ォ ルステラィ ト被膜を形成させ、 そのときの製 品の磁気特性も比較のために表 9に示す。
    [0273] 表 9から明らかなように①〜⑤に例示の各 PVD による磁 気特性の向上は明白であり、 また被膜の X線解析結果から も明らかなように TiN 被膜中に若干の Ti2N,Ti が含有され ていても良好な磁気特性が得られる。
    [0274] 表 9
    [0275] 実施例 9
    [0276] C 0.044% 、 Si 3. ¾. Mn 0.068¾ . Mo 0.025% 、 Se 0.024%、 Sb 0.020% を舍有する熱延板を、 900 °Cで 3分間 の均一化焼鈍後、 950 °Cの中間焼鈍をはさんで 2回の冷間 圧延を行って 0.23画厚の最終冷延板とした。
    [0277] その後 820 °Cの湿水素中で脱炭焼鈍後鋼板表面に A1203 (80%) 、 Mg0(20%)を主成分とする焼鈍分離材を塗布した後 850 °Cで 50時間の 2次再結晶焼鈍を施し、 1200°Cで 8時間 乾水素中で純化焼鈍を行なつた。
    [0278] その後、 酸洗により酸化被膜を除去後、 1部の試料は 3 %HF と H 202液中で化学研磨して鏡面仕上げした。
    [0279] その後イ オ ンプレーティ ング装置を使用して TiN を 0.4 m 厚に形成させた後、 その上に A1N を 0.4 ju m 厚に形成 した。 また 1部の試料はこの表面上にりん酸塩とコロイ ダ ルシ リ カを主成分とする絶縁被膜を形成させた。 そのとき の製品の磁気特性を各処理工程別に表 10で示す。
    [0280] 表 10
    [0281] 磁 気 特 性
    [0282] 処 理 条 件
    [0283] 号 Βιο(ΐ) Wn/so(W/kg)
    [0284] 1 鋼 板 処 理：酸洗 1.91 0.78
    [0285] プレーティ ング： TiN(0.4 の上に Α1Ν(0.'表 ίφ)
    [0286] ii 鋼 板 処 理 酸 1.91 0.76
    [0287] プレーティング TiN(0.4 m)の上に A1N(0.4 m)
    [0288] コーティ ング りん酸塩とコロイダルシリカ ·
    [0289] 00 iii 鋼 板 処 理：酸洗後化学研磨 1.92 0.66
    [0290] プレーティング： TiN(0.4 m)の上に MN(0.4 )
    [0291] iv 鋼 板 処 理 酸洗化学研磨 1.92 0.65
    [0292] プレーティ ング TiN(0.4 の上に A1N(0.4 Μ(Ά)
    [0293] コ一ティング りん酸塩とコロイダルシリ力
    [0294] 実施例 10
    [0295] C 0.044% 、 Si 3.42%. Mn 0.068% 、 Mo 0.025¾ 、 Se 0.024 、 Sb 0.020 を含有する熱延板を、 900 °Cで 3分間 の均一化焼鈍後、 950 °Cの中間焼鈍をはさんで 2回の冷間 圧延を行つて 0.23mm厚の最終冷延板とした。
    [0296] その後 820 での湿水素中で脱炭焼鈍後鋼板表面に A1203 (80%) 、 Mg0(20%)を主成分とする焼鈍分離剤を塗布した後 850 °Cで 50時間の 2次再結晶焼鈍を施し、 1200°Cで 8時間 乾水素中で純化焼鈍を行なつた。
    [0297] その後、 酸洗により酸化被膜を除去後、 1部の試料は 3 ¾HF と H202液 ώで化学研磨して鏡面仕上げした。
    [0298] その後 900 でで TiCl4(60%)と Ν2ガス（25%) と Η2ガス（15 ) の混合ガス雰囲気中で焼鈍して鋼板表面に 0.4 の厚.み で TiN 被膜を圧延方向に直角方向に幅 18™の張力被膜形成 領域と幅 1 の被膜穽形成領域とを交互に区画形成させた。 その後 1部の試料はこの表面上にりん酸塩とコロイ ダルシ リ力を主成分とする絶縁被膜を形成させた。
    [0299] そのときの磁気特性を表 11に示す。
    [0300] 表 11
    [0301] 磁 特 . 性
    [0302] 処 理 条 件
    [0303] 号 Β,ο(Τ) Wn/50(W/kg)
    [0304] i 鋼 板 処 理：酸洗 1.91 0.77
    [0305] プレーティ ング： TiNを 20ram幅、 Ti のない領域 1 mm幅に交！:区画形成
    [0306] ii 鋼 板 処 理 酸洗 1.91 0.75
    [0307] プレーティ ング TiN を 20mm幅、 Ti のない領域 1画幅に交互区画形成
    [0308] コ 一ティング りん酸塩とコロイダルシリカ
    [0309] Ο
    [0310] iii 鋼 板 処 理：酸洗後化学研磨 1.92 0.69
    [0311] プレーティング： TiNを 20咖幅、 T Jのない領域 1翻幅に交互区画形成
    [0312] iv 鋼 板 処 ¾ 酸洗後化学研磨 1.92 0.67
    [0313] プレーティ ング Ti を 20mm幅、 TiN のない領域 1 Ι Ι幅に交互区画形成
    [0314] コ ーティング りん酸塩とコロイダルシリ力
    [0315] 実施例 11
    [0316] C 0.049% 、 Si 3.36%、 Mn 0.078% 、 Al 0.026% 、 S 0.0025% 、 Cu 0.1% 、 Sn 0.12%を舍有する熱延板を 1130で で 3分間の均一化焼鈍後急冷処理を行い、 その後 300 の 温間圧延を施して 20mra厚さの最終冷延板とした。
    [0317] その後 850 °C湿水素中で脱炭焼鈍後、 表面に Α12ϋ3(80%) と Mg0(15%)と Zr02(5%)を主成分とする焼鈍分離剤を塗布し た後 850 °Cから 1150 Cまで 10°C/hr で昇温して 2次再結晶 させた後、 1200 で 8時間乾水素中で純化焼鈍を行なつた, その後酸洗により酸化被膜を除去後、 3 HPと H 202の液中 で化学研磨して鏡面仕上げした後、 CVD 法により BN， Si3N4: ZrN, AIN, TiC, SiC, ZrC の張力薄被膜（0.4〜 0.7 M m 厚） を 形成させた。 その後パルス レーザーにより次の条件で照射 した。 エネルギーは 3 X 10 3J/m2、 スポ ッ ト直径 0.2 mm、 スポ ッ 卜の中心間隔 1.5 nunで行った。 その後 550 °C低温絶 緣コ一ティ ングを行った。 この製品の磁気特性を表 12にま とめる。
    [0318] 表 12
    [0319] 実施例 12
    [0320] (A) C 0.041% 、 Si 3.48%. Mn 0.062% 、 Mo 0.025% 、 Se. 0.022%. Sb 0.025% および N 0.0038%
    [0321] (B) C 0.053 、 Si 3.32%、 Mn 0.072% 、 S 0.018%. Al 0.025%および N O.0066%
    [0322] (0 C 0.039% 、 Si 3.31%、 Mn 0.059% 、 S 0.030%. B 0.0019% 、 N 0.0068% および Cu 0.15%、
    [0323] (D) C 0.046% 、 Si 3.09%、 Mn 0.063% 、 Se 0.019% およ び Sb 0.025% 、
    [0324] (E) C 0.038% 、 Si 3.08%、 Mn 0.071% 、 S 0.019%、 を舍有する組成になるけい素鋼熱延板を用いた。 まず熱延 板（A)， （C), (D)， （E) については 900 °Cで均一化焼鈍を行つ た。 他方熱延板（B) は、 1050°Cで 3分間の均一化焼鈍後、 900 でから急冷した。 その後（ )， (D), (E)については、 950 °Cの中間焼鈍を挟んで 2回の冷間圧延を行って 0.23匪の最 終板厚とし、 また（B)， （C) は 1回の強冷延によって 0.23咖 厚の最終冷延板に仕上げたが、 冷延途中に 300 °Cの温間圧 延'を挟んだ。
    [0325] ついでこれらの冷延板表面を脱脂したのち、 露点 25°Cの 湿水素中における 830 °Cの脱炭を兼ねた 1次再結晶焼鈍後、 Al 203 (70%)、 gO (25%) 、 ZrO 2 (5%)からなる焼鈍分離剤を 塗布した。
    [0326] その後、 （A), (D) は 850 °Cで 50時間の 2次再結晶焼鈍を 行ったのち、 乾水素中で 1200 ：、 6時間の純化焼鈍を施し た。 一方（B), (C)， （E) は 850 でから 5 °C/hで 1050°Cまで昇 温して 2次再結晶させたのち、 乾水素中で 1200 ：、 8時間 の純化焼鈍を施した。
    [0327] その後得られた各'鋼板を酸洗処理して、 表面の酸化 ¾膜 を除去してから、 化学研磨によって中心線平均粗さ 0.03 m 以下の鏡面に仕上げた。
    [0328] ついで鏡面仕上げ表面上に、 0.7 μν 厚の Tiの蒸着相を 被成した。
    [0329] その後（A), (B), (C) については、 H2ガス雰囲気中で 800 °C、 5時間の焼鈍を施し、 一部の試料についてはさらに N2 および/または CH4 ガスを含有する雰囲気中で 700 t：、 3 時間の焼鈍を施した。
    [0330] また（D)， (E) については、 直ちに N2および/ または CH4 ガスを舍有する雰囲気中で 800 で、 5時間の焼鈍を施した。 かく して得られた TiC, TiN ないし Ti (C， N) からなる極薄 被膜をそなえる方向性けい素鋼板の鑭中 C ， N量、 磁気特 性および密着性について調べた結果を、 仕上げ焼鈍後の鐧 中（： ， N量および磁気特性と比較して、 表 13に示す。
    [0331] 又表 13には、 上記の極薄被膜付き方向性けぃ素鐧板の表 面に、 さらにりん酸塩とコロイダルシリカを主成分とする コ ーティ ング被膜を被成した製品の磁気特性についての調 查結果も併せて示す。
    [0332] 表 13
    [0333]
    [0334] * 180 '曲げを行っても剁 Sitしない疸^« ** 2次 W結晶焼鈍棼 lill気は N2ガス中 < *** ¾点 17 'cの湿水素中で脱炭焼鈍 <
    [0335] 実施例 13
    [0336] C 0. 043% 、 S i 3. 36%、 Mn 0. 063% 、 Mo 0. 026%. Se 0. 021%および Sb 0. 025% を含有する熱延板に、 950 ：、 3 . 分間の中間焼鈍を挟む 2回の冷間圧延を施して 0. 23画厚の 最終冷延板とした。 その後 820 での湿水素中で脱炭を兼ね た 1次再結晶焼鈍を施したのち、 表面に/ 203 (70%)、 MgO (25%) 、 Zr02 (5%)からなる焼鈍分離剤を塗布してから、 850 °Cで 50時間の 2次再結晶焼鈍、 ついで乾水素中で 1200 °Cで 7時間の純化焼鈍を施した。
    [0337] その後、 酸洗により鋼板表面上の酸化被膜を除去したの ち、 化学研磨を施して中心線平均粗さ 0. 04 ^ m 以下の鏡面 に仕上げ、 しかるのち表 14に示す種々の金属または半金属 を 0. 7 〜0. 8 m 厚に蒸着した。 ， ついで、 N 2または d を含む雰 »囲気中で焼鈍し、 種々の 炭化物および窒化物からなる混合薄膜を形成した。
    [0338] その後さらにりん酸塩とコロイ ダルシ リカを主成分とす るコ一ティ ング被膜を被成した製品板の磁気特性および密 着性について調べた結果を、 表 14に併記する。
    [0339] 表 14
    [0340]
    权利要求:
    Claims請 求 の 範 囲
    1. 舍けい素鐧スラブを熱間圧延して得られる熱延板に 1 回又は中間焼鈍を挟む 2回の冷間圧延を施して最終板厚 の冷延板とした後、 脱炭を兼ねた 1次再結晶焼鈍を施し てから、 鋼板表面上に焼鈍分離剤を塗布し、 引続き仕上 げ焼鈍を施して { 110 } <001> 方位の 2次再結晶粒を発 達させる 2次再結晶焼鈍及び純化焼鈍を施し、 その後鋼 板表面上の酸化物層を除去したのち、 Ti, Zr, Hf, V， Nb, Ta , Mn, Cr， Mo, W， Co, Ni, Al, B及び Siの窒化物及び /又は炭化 物のうちから選んだ少なく とも 1種から主として成り、 それらの地鉄との混合層を介し鋼板表面上へ強周に被着 した少なく とも 1層の'被膜.を形成させることを特徵とす る、 超低鉄損一方向性けい素鋼板の製造方法。
    2. 被膜厚を 0.005 〜 5 πι の範囲に制御する請求の範囲
    1 に記載の方法。 '
    3. 被膜の形成が、 Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mn, Cr, Mo, W, Co, Ni, A 1， B及び Siのうちから選んだ少なく とも 1種の元素によ る蒸着膜を被成したのち、 この蒸着膜に窒化及び/又は 炭化処理を施すものである請求の範囲 1 に記載の方法。
    4. 被膜の形成が CVD 法によるものである請求の範囲 1 に 記載の方法。
    5. 被膜の形成が PVD 法によるものである請求の範囲 1 に 記載の方法。
    6. 被膜の形成が鐧板表面上における区画形成によるもの である請求の範囲 1 に記載の方法。
    7. 被膜の形成が、 450 〜1100°Cの鐧板温度下で、 鋼板に 対する 2. Q kg / mm 2 以下の弾性張力下における CVD 法に よるものである請求の範囲 1 に記載の方法。
    8. 被膜の形成が、 100 〜1100°Cの鋼板温度下で、 鋼板に 対する 2. Q kg / mm 2 以下の弾性張力下における P.VD、法に よるものである請求の範囲 1 に記載の方法。 、
    9. 窒化物及び/又は炭化物より成る被膜上に重ねて、 絶 縁性塗布焼付層を形成させる請求の範囲 1 に記載の方法 (
    10. 焼鈍分離剤が、 MgO を主成分とする組成である請求の 範囲 1 に記載の方法。
    11. 焼鈍分離剤が、 仕上焼鈍の際に鐧板表面における、 主 と して Si及び Peの酸化物との間のフ オ ルステライ ト生成 の反応を抑制する成分組成である請求の範囲 1 に記載の 方法。
    12. 仕上焼鈍後の鋼板表面上における酸化物層の除去が、 酸洗又は研削によるものである請求の範囲 1 に記載の方 法。
    13. 酸化物層を除去した後に鋼板表面に研磨仕上を施す請 求の範囲 1 に記載の方法。
    14. 研磨仕上が化学的又は機械的な研磨である請求の範囲 14に記載の方法 ，
    15. 研磨仕上げが中心線平均粗さ Ra 0. m 以下の鏡面で ある請求の範囲 14に記載の方法。
    16. C ： 0·. 01〜0. 06wt% 、 - S i ： 2. 0 〜4. 0wt ヽ
    Mn： 0. 01〜0. 20wt% 、
    さ らに S及び Seの 1種あるいは 2種合計で 0. 005 〜0. 05 w t% を含有し、 残部実質的に Feの組成になる含けぃ素鑭 スラブを用いることを特徵とする請求の範囲 1〜16の何 れか一つに記載の方法。
    17. C ： 0. 01〜0. 06wt% 、
    S i ： 2. 0 〜4. 0wt%、
    Mn： 0. 01〜0. 20wt¾ 、
    Sb： 0. 005 〜0. 20 t% 、
    さらに S及び Seのうち 1種又は 2種合計で、 0. 005 〜 0. 05 t% を含有し、 残部実質的に Peの組成になる舍けい 素鐧スラブを用いることを特徵とする請求の範囲 1〜16 の何れか一つに記載の方法。
    18. C ： 0.01〜0.06wt% 、
    Si： 2.0 〜4. O t%
    Mn： 0.01〜0.20wt% 、
    Sb： 0.005 ~0.20wt
    Mo： 0.003 〜◦. lwt%、
    さらに S及び Seのうち 1種又は 2種合計で、 0.005 〜 0.05 t% を含有し、 残部実質的に Peの組成になる含けい 素鋼スラブを用いることを特徵とする請求の範囲 1〜16 の何れか一つに記載の方法。
    19. C ： 0.01〜0.06wt¾ 、
    Si： 2.0 ~4.0wt%、
    Mn： 0.01〜0.20 t% 、
    Sol. 1： 0.005 〜0.06wt¾ 、
    N ： 0.001 ~0.01wt%
    さらに S及び Seのうち 1種又は 2種合計で、 0.005 〜 0.05wt% を含有し、 残部実質的に Peの組成になる含けい 素鐧ス ラ ブを用いることを特徴とする請求の範囲 1〜16 の何れか一つに記載の方法。
    20. C ： 0.01〜0.06wt% 、
    Si： 2.0 〜4.0wt%、 "
    Mn： 0.01〜0.20wt% 、 Sol. Al： 0, 005 〜0.06wt% 、
    N ： 0.001 〜Q.01wt%
    Mo： 0.005 ~0. lwt 、
    さらに S及び Seのうち 1種又は 2種合計で、 0.005 〜 0.05 t¾ を舍有し、 残部実質的に Feの組成になる舍けい 素鋼スラブを用いることを特徵とする請求の範囲 1〜16 の何れか一つに記載の方法。
    21. C ： 0.01〜0.06 t¾ 、
    Si： 2.0 〜4.0wt¾.
    ^n： 0, 01〜0.20 t% 、
    Sol. Al： 0.005 〜0.06wt% 、 .
    Sn： 0.01〜0.5 t% . 、 .
    Cu： 0, 01〜： L. Owt0ん
    さらに S及び Seのうち 1種又は 2種合計で、 0.005 〜 0.05wt% を含有し、 残部実質的に Peの組成になる舍けい 素鋼スラブを用いることを特徵とする請求の範匪 1〜16 の何れか一つに記載の方法。
    22. C ： 0.01〜0.06wt% 、
    Si： 2.0 〜4.0wt%、
    Mn： 0.01〜0.2wt%、
    B ： 0.0003〜0.02wt% 、
    N ： 0.001 〜0.01 t%
    さらに S及び Seのうち 1種又は 2種合計で、 0.005 〜 0.05wt¾ を含有し、 残部実質的に Feの組成になる含けい 素鋼スラブを用いることを特徵とする請求の範囲 1 〜 16 の何れか一つに記載の方法。
    23. C ： 0. 0 〜 0. 06wt% 、
    S i ： 2. 0 ~ 4. Owt%、
    Mn ： 0. 01〜0. 20wt¾ 、
    B ： 0. 0003〜0. 02wt¾ 、
    N ： 0. 001 〜0. 01wt%
    Cu ： 0. 01〜： L 0wt%、
    さ らに S及び Seのうち 1種又は 2種合計で、 0. 005 〜 0. 05wt¾ を含有し、 残部実質的に P eの組成になる舍けい 素鐧ス ラ ブを用いることを特徵とする請求の範囲.1 〜16 の何れか一つに記載の方法。
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    EP1279747B1|2013-11-27|A method of manufacturing grain-oriented electrical steel sheets
    US6423157B2|2002-07-23|Method of making grain-oriented magnetic steel sheet having low iron loss
    JP4840518B2|2011-12-21|方向性電磁鋼板の製造方法
    KR101070064B1|2011-10-04|자속 밀도가 높은 방향성 전자기 강판의 제조 방법
    RU2288297C2|2006-11-27|Электротехническая текстурованная листовая сталь с электроизоляционным покрытием и способ получения электротехнической текстурованной листовой стали
    EP0566986B1|2000-02-23|Process for production of grain oriented electrical steel sheet having excellent magnetic properties
    US6475304B2|2002-11-05|Grain-oriented silicon steel sheet and process for production thereof
    KR101620763B1|2016-05-12|방향성 전기 강판 및 그 제조 방법
    US3932236A|1976-01-13|Method for producing a super low watt loss grain oriented electrical steel sheet
    EP0108268B1|1987-03-11|Method for the production of cold rolled steel sheet having super deep drawability
    JP3176933B2|2001-06-18|絶縁被膜の密着性が優秀な無方向性電磁鋼板の製造方法
    KR20050065608A|2005-06-29|방향성 전자 강판의 제조방법 및 방향성 전자 강판
    JP5417936B2|2014-02-19|方向性電磁鋼板の製造方法
    US5565272A|1996-10-15|Grain oriented silicon steel sheet having excellent primary film properties
    EP0959142A2|1999-11-24|Grain oriented electromagnetic steel sheet and manufacturing method thereof
    EP2322674B1|2018-04-11|A method of manufacturing oriented si steel containing cu
    EP2796571B1|2018-10-31|High silicon steel sheet having excellent productivity and magnetic properties and method for manufacturing same
    KR20150086362A|2015-07-27|방향성 전자 강판의 제조 방법
    JP3023242B2|2000-03-21|騒音特性の優れた低鉄損一方向性珪素鋼板の製造方法
    US4863532A|1989-09-05|Grain-oriented electromagnetic steel sheet
    EP0260927B1|1993-04-28|Method of producing extra-low iron loss grain oriented silicon steel sheets
    EP0193324B1|1989-10-11|Extra-low iron loss grain oriented silicon steel sheets
    EP0305966B1|1992-11-04|Method for producing grain-oriented electrical steel sheet having metallic luster and excellent punching property
    US6287703B1|2001-09-11|Ultralow-iron-loss grain oriented silicon steel plate and process for producing the same
    WO2016098917A1|2016-06-23|방향성 전기강판 및 그 제조방법
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    EP0215134B1|1990-08-08|
    EP0215134A1|1987-03-25|
    US4713123A|1987-12-15|
    EP0215134A4|1987-09-29|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    1986-08-28| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): US |
    1986-08-28| AL| Designated countries for regional patents|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): DE FR GB IT SE |
    1986-09-05| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1986904726 Country of ref document: EP |
    1987-03-25| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1986904726 Country of ref document: EP |
    1990-08-08| WWG| Wipo information: grant in national office|Ref document number: 1986904726 Country of ref document: EP |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP3293585||1985-02-22||
    JP60/32935||1985-02-22||
    JP4298485||1985-03-05||
    JP60/42984||1985-03-05||
    JP4298585||1985-03-05||
    JP60/42985||1985-03-05||
    JP7384285||1985-04-08||
    JP60/73842||1985-04-08||
    JP60074462A|JPS6335684B2|1985-04-10|1985-04-10||
    JP60/74461||1985-04-10||
    JP7446085||1985-04-10||
    JP60/74462||1985-04-10||
    JP7446185A|JPS61235511A|1985-04-10|1985-04-10|Production of ultra-low iron loss grain oriented silicon steel sheet having thermal stability|
    JP60/74460||1985-04-10||
    JP60084525A|JPS6335686B2|1985-04-22|1985-04-22||
    JP60/84523||1985-04-22||
    JP60/84525||1985-04-22||
    JP60084523A|JPS6335685B2|1985-04-22|1985-04-22||
    JP60161223A|JPH0577749B2|1985-07-23|1985-07-23||
    JP60/161223||1985-07-23||
    JP16122185||1985-07-23||
    JP60/161227||1985-07-23||
    JP60/161221||1985-07-23||
    JP60/161232||1985-07-23||
    JP16122785A|JPS6222405A|1985-07-23|1985-07-23|Manufacture of unidirectional silicon steel plate|
    JP60/161228||1985-07-23||
    JP60161228A|JPH0374485B2|1985-07-23|1985-07-23||
    JP16123285A|JPH0337844B2|1985-07-23|1985-07-23||
    JP60180161A|JPS6240317A|1985-08-16|1985-08-16|Manufacture of grain-oriented silicon steel sheet with extremely small iron loss|
    JP60/180163||1985-08-16||
    JP60/180161||1985-08-16||
    JP60/180164||1985-08-16||
    JP18016285A|JPH0337846B2|1985-08-16|1985-08-16||
    JP18016385A|JPS6240703A|1985-08-16|1985-08-16|Manufacture of ultralow iron loss unidirectional silicon steel plate|
    JP60180164A|JPH0374486B2|1985-08-16|1985-08-16||
    JP60/180162||1985-08-16||
    JP60282053A|JPH0374488B2|1985-12-17|1985-12-17||
    JP60/282053||1985-12-17||
    JP61/22848||1986-02-06||
    JP2284886A|JPH0327631B2|1986-02-06|1986-02-06||
    JP61/31764||1986-02-18||
    JP61031764A|JPH0413426B2|1986-02-18|1986-02-18||DE8686904726A| DE3673290D1|1985-02-22|1986-02-21|Herstellungsverfahren fuer unidirektionale siliziumstahlplatte mit aussergewoehnlichem eisenverlust.|
    [返回顶部]